مطالعه نوارهای انرژی GaAs نوع n و InP نوع p با روشهای طیفنمایی تراگسیلی ونورالیانی
نویسندگان
چکیده مقاله:
این مقاله چکیده ندارد
منابع مشابه
GaAs, InP, InGaAs, GaInP, p+-i-n+ Multiplication Measurements For Modeling of Semiconductor as Photo Detectors
Optoelectronic is one of the thrust areas for the recent research activity. One of the key components of the optoelectronic family is photo detector to be widely used in broadband communication, optical computing, optical transformer, optical control etc. Present paper includes the investigation. carried on the basis of the. Multiplication measurements on GaAs, InP, InGaAs, GaInP, p+-i-n+s with...
متن کاملImproved electrical properties of wafer-bonded p-GaAs/n-InP interfaces with sulfide passivation
Sulfide-passivated GaAs and InP wafers were directly bonded to explore the efficiency of sulfide passivation on the bonded interfacial properties. We find that the bonded GaAs/InP interfaces after sulfide passivation contain sulfur atoms and a decreased amount of oxide species relative to the pairs bonded after conventional acid treatment; however, the residual sulfur atoms have no effect on th...
متن کاملOptically heterodyne diagnosis of a high-saturation-power undoped InP sandwiched InGaAs p-i-n photodiode grown on GaAs.
We demonstrate the optical heterodyne diagnostics and high saturation power characteristics of a novel undoped InP sandwiched In(0.53)Ga(0.47)As p-i-n photodiode with a partially p-doped photoabsorption layer, which is grown on a linearly graded metamorphic In(x)Ga(1-x)P buffered GaAs substrate layer and exhibits an excellent low dark current density of 3.6x10(-7) A/cm(2). Such a top-illuminate...
متن کاملترابرد الکترونی و رسانندگی الکتریکی حاملین بار درتک بلورهای GaAs از نوع P در محدوده‌ی دمایی(400-100) درجه‌ی کلوین
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...
متن کاملElectro-optical characterisation of InP nanowire based p-n, p-i-n Infrared photodetectors
High speed photodetectors are most sophisticated optoelectronic devices, because it has high photo sensitivity, low noise, high conversion efficiency and allow a large wavelength range of detection from 750 nm to 1.3–1.55 μm in the optical communication system. These photodetector is used as an optical receiver which transforms the energy of optical radiation such as infrared, visible or ultrav...
متن کاملCurrent impulse response of thin InP p+-i-n+ diodes
The simulation of current impulse response using random response time model in avalanche photodiode is presented. A random response time model considers the randomness of times at which the primary and secondary carriers are generated in multiplication region. The dead-space effect is included in our model to demonstrate the impact on current impulse response of thin avalanche photodiodes. Curr...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 18 شماره جلد 17
صفحات 57- 62
تاریخ انتشار 1999-02-20
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023